采用0.18μm CMOS工艺，自主设计并开发出具有完全知识产权的两款分别符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的超高频RFID标签芯片，攻克了低功耗低成本超高频RFID标签芯片中极低功耗射频/模拟/数字/SoC电路设计、测试、验证等产业化关键技术。

采用时隙随机多标签防碰撞技术,识别速率达到140次/秒，支持阅读器对标签读写、锁存、灭活等功能操作，能满足多阅读器多标签应用场景。

ISO18000-6B标准的超高频RFID标签芯片采用自适应二进制数多标签防碰撞技术，识别速率达到64次/秒。